На мероприятии Intel Accelerated чипмейкер представил новую систему именований собственных техпроцессов. Компания изменила название двух уже анонсированных узлов, а также раскрыла дорожную карту продуктов на 2023–2024 годы.

10-нм техпроцесс Enhanced SuperFin был переименован в Intel 7. Компания сообщила, что этот узел сейчас находится в серийном производстве и его производительность на ватт на 10–15% выше по сравнению с обычным 10-нм SuperFin. Intel 7 будет использоваться для выпуска настольных и мобильных чипов Alder Lake, а также серверных Sapphire Rapids.

В этом месте нелишним будет сделать ремарку. С точки зрения плотности транзисторов 10-нм технология SuperFin примерно эквивалентна 7-нм техпроцессам TSMC и Samsung. Поэтому чисто маркетинговый ход переименования Enhanced SuperFin 10nm в Intel 7 имеет под собой все основания. Тем более, «бумажные нанометры» в электронной промышленности уже многие годы не отражают реальных размеров полупроводниковых компонентов.

Intel 4 — это то, что ранее называлось 7-нм техпроцессом Intel. Чипмейкер обещает прирост производительности на ватт на 20% по сравнению с Intel 7. Этот узел будет использовать EUV-литографию. Первыми продуктами на основе Intel 4 являются чипы Meteor Lake и Granite Rapids.

Во второй половине 2023 года Intel анонсирует узел Intel 3. Данная технология обеспечит 18%-ный прирост производительности на ватт и будет иметь более высокую плотность и увеличенное количество слоев EUV.

Наконец, Intel 20A представит новую архитектуру транзисторов, известную как RibbonFET, и инновацию в области межкремниевых соединений PowerVia. Что интересно, Intel 20A будет исчисляться в ангстремах (1 Å = 0,1 нм = 100 пм) и грубо говоря соответсвовать 2 нм. Intel не рассказала, какой продукт будет использовать Intel 20A.