SK Hynix сообщила о начале опытных поставок микросхем DDR5 объёмом 24 Гбит. Для их выпуска используется технология класса 1a-нм с применением экстремальной ультрафиолетовой литографии (EUV). Чипмейкер заявляет о росте скоростных показателей вплоть до 33%, а также 25%-ном снижении энергопотребления по сравнению с актуальными продуктами.

Вышеупомянутые микросхемы послужат основой 48- и 96-гигабайтных модулей DDR5 для серверов и суперкомпьютеров. В будущем, вероятно, будет налажен выпуск аналогичных решений для персональных компьютеров. Напомним, что сегодня на конвейере SK Hynix производятся микросхемы DRAM ёмкостью 16 Гбит, при этом вендор не упускает возможности напомнить, что «первую в мире память DDR5» компания выпустила ещё в октябре 2020-го.

«Intel и SK Hynix имеют долгую историю тесного сотрудничества, — заявила Кэролайн Дюран (Carolyn Duran), вице-президент Intel Data Center и AI Group по технологиям IO и памяти. — Сегодняшний анонс — еще одна иллюстрация совместной работы двух наших компаний над созданием 24-гигабитных решений для удовлетворения потребностей наших общих клиентов».