Компании Toshiba и NEC анонсировали два новых продукта, представляющих различные реализации чипов памяти, использующих некоторые свойства намагниченных материалов для хранения информации. Первый чип – память типа FeRAM с высокой плотностью компоновки, второй – память типа MRAM, обеспечивающая скорость чтения/записи до 200 Мб/с. До сих пор именно относительно низкая скорость обмена данными являлась для MRAM одной из основных причин, мешающих ей всерьез конкурировать с традиционной памятью типа DRAM.

Основным преимуществом MRAM над традиционными DRAM или SRAM является энергонезависимость – для сохранения состояния ячеек приложения электрического напряжения не требуется. С другой стороны, до сих пор не удается создать достаточно компактные MRAM-модули. Так, представленный чип, имеющий выполненные по 130 нм технологии соединения и ячейки, выполненные по 240 нм, имеет емкость всего 16 Мбит. Для выполнения операций чтения-записи требуется всего лишь 1,8 В.

Технология FeRAM, или Ferroelectric Random Access Memory, позволяет создать более емкие устройства, при 130 нм техпроцессе можно изготовить 64 Мбит чип. Правда, время одного такта у этого типа памяти относительно велика – около 60 нс и энергопотребление выше, чем у MRAM, но в целом FeRAM может претендовать на роль некоей «золотой середины» между MRAM и DRAM.

— Будущие технологии памяти: FeRAM изнутри;
— Сравнительное тестирование 12 модулей DDR400.